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RGP10J

Mfr# RGP10J
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
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Fichas de dados

Descrição

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  • Disponível:280204 pcs
  • Em ordem:0 pcs
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Modelo do Produto RGP10J
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 280204 pcs
Fichas de dados
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 1.3V @ 1A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max) 600V
Embalagem do dispositivo fornecedor DO-41
Velocidade Fast Recovery = 200mA (Io)
Série -
Inversa de tempo de recuperação (trr) 250ns
Embalagem Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete DO-204AL, DO-41, Axial
Outros nomes RGP10JCT
Temperatura de Operação - Junção -65°C ~ 175°C
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode Standard
Descrição detalhada Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-41
Atual - dispersão reversa @ Vr 5µA @ 600V
Atual - rectificada média (Io) 1A
Capacitância @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Número da peça base RGP10J

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