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SI4418DY-T1-GE3

Mfr# SI4418DY-T1-GE3
Mfr. Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Mais Informações Aprenda mais sobre Electro-Films (EFI) / Vishay SI4418DY-T1-GE3
Fichas de dados SI4418DY-T1-GE3.pdf

Descrição

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  • Disponível:5173 pcs
  • Em ordem:0 pcs
  • Mínimo:1 pcs
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Modelo do Produto SI4418DY-T1-GE3
Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5173 pcs
Fichas de dados SI4418DY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO
Série TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 130 mOhm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1.5W (Ta)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes SI4418DY-T1-GE3TR
SI4418DYT1GE3
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200V
Descrição detalhada N-Channel 200V 2.3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta)

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