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CSD19502Q5BT

Mfr# CSD19502Q5BT
Mfr. N/A
Descrição MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6
Estado de RoHS Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
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Fichas de dados

Descrição

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  • Disponível:13908 pcs
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Modelo do Produto CSD19502Q5BT
Fabricante N/A
Descrição MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6
Status sem chumbo / Status RoHS Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade Disponível 13908 pcs
Fichas de dados
VGS (th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-VSON-CLIP (5x6)
Série NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 4.1 mOhm @ 19A, 10V
Dissipação de energia (Max) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Embalagem Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete 8-PowerTDFN
Outros nomes 296-44043-1
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 35 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Contains lead / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4870pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 80V
Descrição detalhada N-Channel 80V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)

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