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CSD19506KCS

Mfr# CSD19506KCS
Mfr. N/A
Descrição MOSFET N-CH 80V TO-220-3
Estado de RoHS Solicitar verificação de inventário / Em conformidade com a RoHS
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Descrição

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  • Disponível:11302 pcs
  • Em ordem:0 pcs
  • Mínimo:1 pcs
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Modelo do Produto CSD19506KCS
Fabricante N/A
Descrição MOSFET N-CH 80V TO-220-3
Status sem chumbo / Status RoHS Solicitar verificação de inventário / Em conformidade com a RoHS
Quantidade Disponível 11302 pcs
Fichas de dados
VGS (th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220-3
Série NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max) 375W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-220-3
Outros nomes 296-37169-5
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 35 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Request inventory verification / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 12200pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 156nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 80V
Descrição detalhada N-Channel 80V 100A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)

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