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CSD19506KTT

Mfr# CSD19506KTT
Mfr. N/A
Descrição MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
Estado de RoHS Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
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Fichas de dados

Descrição

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  • Disponível:12365 pcs
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Modelo do Produto CSD19506KTT
Fabricante N/A
Descrição MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
Status sem chumbo / Status RoHS Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade Disponível 12365 pcs
Fichas de dados
VGS (th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor DDPAK/TO-263-3
Série NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max) 375W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Outros nomes 296-49604-2
CSD19506KTT-ND
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 2 (1 Year)
Tempo de entrega padrão do fabricante 35 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Contains lead / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 12200pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 156nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 80V
Descrição detalhada N-Channel 80V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 200A (Ta)

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